李焕话锋一转，直指问题的核心：“真正的‘死结’，在于EUV光刻机。 这一点我们都有共识，短期内——比如三五年内——要实现从零到一的突破并达到商用水平，可能性极低。”

“这涉及到基础物理、材料、超精密加工等无数个‘卡脖子’的小点。”

李焕身体微微前倾，目光灼灼地盯着梁孟松，提出了一个近乎“异想天开”的破局思路：“但是，活人总不能被尿憋死。”

“ 既然正面强攻EUV在短期内看不到希望，我们能不能换个思路，在现有的DUV光刻机技术条件下，通过极致的工艺创新、电路设计优化、甚至是架构层面的革命，来实现等效芯片性能的突破，逼近甚至达到原本需要EUV才能实现的9纳米、7纳米制程的效果？”

“靠DUV光刻机做出9纳米芯片？” 梁孟松闻言，几乎是下意识地重复了一遍，眉头紧锁，脸上写满了技术人听到违反常识提议时的本能怀疑与审慎。

这个想法，在传统的半导体制造教科书中，几乎等同于“用菜刀雕刻微缩艺术品”。

“没错！”李焕肯定地点头，语气中带着一种破釜沉舟的决绝，“我们能不能，就想尽一切办法，就用现有的、未来可能被国产替代的DUV光刻机，通过多重曝光、超分辨率技术、或者结合全新的晶体管结构、3D堆叠封装等‘组合拳’，硬生生地‘榨出’相当于9纳米、甚至7纳米制程的芯片性能和密度？ ”

“我知道这很难，甚至被主流技术路线认为是‘邪路’，效率低、成本高、良率挑战巨大。”

“但，在完全没有EUV这条‘阳关道’可走的情况下，这条布满荆棘的‘独木桥’，是不是我们唯一有可能走通、并且必须去尝试的‘生路’？”

李焕的提议，如同在漆黑一片、似乎已被封死所有出口的房间里，骤然推开了一扇从未被主流视线注意过的隐蔽侧窗。

它粗暴地挑战了全球半导体行业数十年演进所形成的固有认知与技术路径依赖，指向的是一条异常陡峭、布满技术荆棘、充满未知风险，却又可能在绝对封锁下蕴含着唯一一线生机的“技术极限攀登”之路。

这是一场用“笨办法”、“苦功夫”和极致创新，去对抗“巧设备”和“坦途”的悲壮尝试。